FMUSER ต้นฉบับ MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์เพาเวอร์ MOSFET ทรานซิสเตอร์ N-Channel-RF ทรานซิสเตอร์ -FMUSER FM / ออกอากาศทีวีผู้ผลิตแบบครบวงจร

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์ MOSFET คุณสมบัติ N-Channel: ●หมายเลขชิ้นส่วน MRF173CQ ●คำอธิบาย FET RF 65V 150MHZ 316-01 ●คำอธิบายโดยละเอียด RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01 สไตล์ 2 ●เอกสารข้อมูล MRF173CQ ●ใบรับรอง RoHS ข้อมูลสิ่งแวดล้อม●เอกสารข้อมูล HTML MRF173CQ คำอธิบาย: ●บรรจุภัณฑ์: ถาด●สถานะชิ้นส่วน: ใช้งาน●ประเภททรานซิสเตอร์: N-Channel ●ความถี่: 150MHz ●กำไร: 13dB ●แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: 28V ●พิกัดกระแส (แอมป์) : 9A ● Noise Figure: 1.5dB ● Current - Test: 50mA ● Power - Output: 80W ● Volta

รายละเอียด

ก่อนหน้านี้:FMUSER เดิม BLF888A 600W 50V UHF เพาเวอร์ LDMOS RF เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์

ถัดไป:FMUSER Original SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์

ราคา (USD)	จำนวน (ชิ้น)	การจัดส่งสินค้า (USD)	รวม (USD)	วิธีการจัดส่งสินค้า	การชำระเงิน
79	1	0	79	การจัดส่งสินค้าทางอากาศ
				การจัดส่งสินค้าทางอากาศ

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์เพาเวอร์ MOSFET ทรานซิสเตอร์ N-Channel

สิ่งอำนวยความสะดวก:

● ส่วนจำนวน MRF173CQ

● รายละเอียด FET RF 65V 150 เมกะเฮิร์ตซ์ 316-01
● คำอธิบายรายละเอียด RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01 สไตล์ 2
● เอกสารข้อมูลทางเทคนิค MRF173CQ

● ข้อมูลด้านสิ่งแวดล้อม หนังสือรับรอง RoHS

● เอกสารข้อมูล HTML MRF173CQ

รายละเอียด:
● บรรจุภัณฑ์ : ถาด
● สถานะชิ้นส่วน: ใช้งาน
● ประเภททรานซิสเตอร์: N-Channel
● ความถี่: 150MHz
● ได้รับ: 13dB
● แรงดันไฟฟ้า - ทดสอบ: 28V
● พิกัดกระแส (แอมป์): 9A
● รูปเสียง: 1.5dB
● การทดสอบปัจจุบัน: 50mA
● พลังงาน - เอาท์พุท: 80W
● แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: 65V

การใช้งาน:

ออกแบบมาสำหรับการใช้งานบรอดแบนด์เชิงพาณิชย์และการทหารในช่วงความถี่ 200 MHz ประสิทธิภาพกำลังสูงอัตราขยายสูงและบรอดแบนด์ของอุปกรณ์นี้ทำให้เครื่องส่งสัญญาณโซลิดสเตทที่เป็นไปได้สำหรับการออกอากาศ FM หรือย่านความถี่ของช่องทีวีโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพช่อง N-ChannelMOSFET

พารามิเตอร์:
N - โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพช่องสัญญาณ MOSFET
●รับประกันประสิทธิภาพที่ 150 MHz, 28 V:
กำลังขับ = 80 W
กำไร = 11 dB (13 dB typ.)
ประสิทธิภาพ = 55% ขั้นต่ำ (พิมพ์ 60%)
●ความต้านทานความร้อนต่ำ
●ทดสอบความทนทานที่กำลังขับที่กำหนด
● Nitride passivated die เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ
● ed ความน่าเชื่อถือ
●รูปสัญญาณรบกวนต่ำ - ประเภท 1.5 dB ที่ 2.0 A, 150 MHz

●เสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม เหมาะสำหรับการทำงานแบบคลาส A

ราคา (USD)	จำนวน (ชิ้น)	การจัดส่งสินค้า (USD)	รวม (USD)	วิธีการจัดส่งสินค้า	การชำระเงิน
79	1	0	79	การจัดส่งสินค้าทางอากาศ
				การจัดส่งสินค้าทางอากาศ

ก่อนหน้านี้:FMUSER เดิม BLF888A 600W 50V UHF เพาเวอร์ LDMOS RF เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์

ถัดไป:FMUSER Original SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์

ฝากข้อความ

รายการข้อความ

ความคิดเห็นกำลังโหลด ...