เกตไดรเวอร์ขนาดเล็กพิเศษแก้ปัญหาการเกิดสัญญาณผิดพลาด

Infineon ได้พัฒนาตัวขับเกต IC ที่ป้องกันการทริกเกอร์ผิดพลาดที่เกิดจากการเหนี่ยวนำกาฝากทุกครั้งที่เปิดหรือปิดการทำงานของ MOSFET ใน SMPS

Infineon Technologies AG ได้พัฒนา IC ตัวขับเกตขนาดเล็กพิเศษที่ป้องกันการทริกเกอร์ผิดพลาดเนื่องจากการเหนี่ยวนำของกาฝากที่สร้างกราวด์ในแต่ละครั้งที่มีการเปิดหรือปิดไฟ MOSFET ในแหล่งจ่ายไฟสลับโหมด (SMPS) EiceDRIVER 1EDN พร้อม TDI (อินพุตที่แตกต่างกันอย่างแท้จริง) ตระกูลไดรเวอร์เกตหนึ่งช่องสัญญาณถูกออกแบบมาเพื่อการออกแบบที่หนาแน่นและให้พลังงานสูง

อุปกรณ์ 1EDN7550U ใหม่บรรจุอยู่ในแพ็คเกจ TSNP แบบไร้สารตะกั่วหกพินขนาดเล็กพิเศษ (1.5 × 1.1 × 0.39 มม.) ซึ่งใช้พื้นที่ PCB ซึ่งมีขนาดเล็กกว่าอุปกรณ์ตระกูล 5 เท่าในแพ็คเกจ SOT-23

ด้วยสัญญาณอินพุต PWM 3.3-V ที่ระดับแอพพลิเคชั่น EiceDRIVER 1EDN TDI สามารถทนต่อการเปลี่ยนแปลงของพื้นดินสถิตที่สูงถึง± 70 V และการเปลี่ยนแปลงของพื้นดินในระดับสูงถึง± 150 V, Infineon กล่าว

การรวมกันของขนาดที่เล็กและความทนทานต่อการเปลี่ยนพื้นทำให้ไอซีตัวขับเกตตัวขับสองตัวทำงานในการกำหนดค่าแบบครึ่งบริดจ์ 48-V “ นักออกแบบมีอิสระในการวางไอซีตัวขับเกตเหล่านี้ในเลย์เอาต์ PCB ทุกที่ที่ดีที่สุดซึ่งเป็นกุญแจสำคัญในการเปิดใช้ความหนาแน่นพลังงานระดับแนวหน้าของอุตสาหกรรม” Infineon กล่าว

EiceDRIVER 1EDN7550U ในแพ็คเกจ TSNP ไร้สารตะกั่วช่วยให้มอสเฟต OptiMOS 25-V และ 40-V สามารถทำงานในโทโพโลยีตัวเก็บประจุแบบสวิตช์ที่ความถี่การสลับ 1.2-MHz ในแอปพลิเคชันดังกล่าวมีความหนาแน่นพลังงานสูงถึง 3,060 W / in.3 และประสิทธิภาพสูงสุด 97.1% (รวมถึงการสูญเสียเสริม) เป็นไปได้ตาม Infineon

ตระกูล EiceDRIVER 1EDN TDI นั้นมีอยู่ในแพคเกจหกพินมาตรฐาน SOT-23 และแพ็กเกจใหม่หกพิน TSNP

ฝากข้อความ 

Name *

อีเมลล์ *

เบอร์โทรศัพท์

ที่อยู่

รหัส

ระบุความประสงค์หรือขอข้อมูลเพิ่มเติม

 

รายการข้อความ