MRFX1K80H: 1800 W CW มากกว่า 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast ผู้จัดจำหน่ายแบบครบวงจร

MRFX1K80H: 1800 W CW มากกว่า 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS ทรานซิสเตอร์ลักษณะ MRFX1K80H เป็นอุปกรณ์แรกที่ใช้เทคโนโลยี 65 V LDMOS ใหม่ที่เน้นการใช้งานง่าย ทรานซิสเตอร์ที่มีความทนทานสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อใช้ในงานอุตสาหกรรมวิทยาศาสตร์และการแพทย์ที่มี VSWR สูงตลอดจนการออกอากาศทางวิทยุและโทรทัศน์ VHF การบินและอวกาศความเร็วต่ำกว่า GHz และแอปพลิเคชั่นวิทยุมือถือ การออกแบบอินพุตและเอาต์พุตที่ไม่ตรงกันช่วยให้สามารถใช้งานช่วงความถี่กว้างได้ตั้งแต่ 1.8 ถึง 400 MHz MRFX1K80H เข้ากันได้กับพิน (PCB เดียวกัน) กับรุ่นพลาสติก MRFX1K80N พร้อม MRFE6VP61K25H และ MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V) และด้วย MRF1K50H และ MRF1K50N (1500 W @ 50 V) ลักษณะเฉพาะ

รายละเอียด

ก่อนหน้านี้:1 ชิ้น MRF454 ทรานซิสเตอร์ RF เดิม

ถัดไป:FMUSER ต้นฉบับใหม่ MRF1535NT1 RF เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์เพาเวอร์มอสเฟตทรานซิสเตอร์

ราคา (USD)	จำนวน (ชิ้น)	การจัดส่งสินค้า (USD)	รวม (USD)	วิธีการจัดส่งสินค้า	การชำระเงิน
245	1	0	245	ดีเอชแอ
				ดีเอชแอ

MRFX1K80H: 1800 W CW มากกว่า 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS ทรานซิสเตอร์

รายละเอียด

MRFX1K80H เป็นอุปกรณ์เครื่องแรกที่ใช้เทคโนโลยี 65 V LDMOS ใหม่ที่ เน้นการใช้งานง่าย ทรานซิสเตอร์ที่มีความทนทานสูงนี้ออกแบบมาเพื่อใช้งานในระดับสูง VSWR แอพพลิเคชั่นอุตสาหกรรมวิทยาศาสตร์และการแพทย์รวมถึงวิทยุและ VHF TV แอปพลิเคชั่นออกอากาศการบินอวกาศ sub-GHz และวิทยุมือถือ อินพุตที่ไม่ตรงกันและ การออกแบบเอาต์พุตช่วยให้สามารถใช้งานช่วงความถี่กว้างได้ตั้งแต่ 1.8 ถึง 400 MHzMRFX1K80H เข้ากันได้กับพิน (PCB เดียวกัน) กับรุ่นพลาสติก MRFX1K80N พร้อมด้วย MRFE6VP61K25H และ MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V) และกับ MRF1K50H และ MRF1K50N (1500 W @ 50 โวลต์)

คุณสมบัติ
●ใช้เทคโนโลยี 65 V LDMOS ใหม่ซึ่งออกแบบมาเพื่อให้ใช้งานง่าย
●มีลักษณะตั้งแต่ 30 ถึง 65 V สำหรับช่วงพลังงานที่ขยายออกไป
●อินพุตและเอาต์พุตที่ไม่ตรงกัน
●แรงดันไฟฟ้าที่แตกตัวสูงเพื่อเพิ่มความน่าเชื่อถือและสถาปัตยกรรมที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้น
●ความสามารถในการดูดซับพลังงานหิมะถล่มจากแหล่งระบายสูง
●ความทนทานสูง จัดการ 65: 1 VSWR
●ผ่าน RoHS

●ตัวเลือกความต้านทานความร้อนที่ต่ำกว่าในบรรจุภัณฑ์พลาสติกที่ขึ้นรูป: MRFX1K80N

การใช้งาน

●อุตสาหกรรมวิทยาศาสตร์การแพทย์ (ISM)
●การสร้างเลเซอร์
●การสร้างพลาสมา
●เครื่องเร่งอนุภาค
● MRI, RF ablation และการรักษาผิวหนัง
●ระบบทำความร้อนการเชื่อมและการอบแห้งในอุตสาหกรรม
●การออกอากาศทางวิทยุและ VHF TV
●การบินและอวกาศ
●การสื่อสาร HF

●เรดาร์

แพคเกจรวม

1xMRFX1K80H RF Power LDMOS ทรานซิสเตอร์

ราคา (USD)	จำนวน (ชิ้น)	การจัดส่งสินค้า (USD)	รวม (USD)	วิธีการจัดส่งสินค้า	การชำระเงิน
245	1	0	245	ดีเอชแอ
				ดีเอชแอ

ก่อนหน้านี้:1 ชิ้น MRF454 ทรานซิสเตอร์ RF เดิม

ฝากข้อความ

รายการข้อความ

ความคิดเห็นกำลังโหลด ...