คำติชมของนักสะสมทรานซิสเตอร์

ในรูป ตัวต้านทานฐาน RB เชื่อมต่อกับตัวสะสมมากกว่า VCC เนื่องจากอยู่ในการจัดเรียงอคติฐานที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้ แรงดันไฟฟ้าของตัวสะสมทำให้เกิดอคติสำหรับจุดต่อเบส-อิมิตเตอร์ คำติชมเชิงลบจะสร้างเอฟเฟกต์ "การชดเชย" ที่มีแนวโน้มจะทำให้จุด Q คงที่ หาก IC พยายามเพิ่ม มันจะลดแรงดันไฟใน RC มากขึ้น ซึ่งจะทำให้ VC ลดลง เมื่อ VC ลดลง จะมีแรงดันไฟฟ้าลดลงทั่ว RB ซึ่งลด IB การลดลงของ IB ทำให้เกิด IC น้อยลง ซึ่งจะส่งผลให้แรงดันไฟตกใน RC น้อยลง และชดเชยการลดลงใน VC การวิเคราะห์วงจรอคติ Collector-Feedback ตามกฎของโอห์ม กระแสฐานสามารถแสดงเป็นความเสถียรของจุด Q เหนืออุณหภูมิเหนือสมการ แสดงว่ากระแสของตัวสะสมขึ้นอยู่กับขอบเขต βDC และ VBE ในระดับหนึ่ง แน่นอนว่าการพึ่งพานี้สามารถลดขนาดลงได้ด้วยการทำ RC >> RB/βDC และ VCC >> VBE คุณลักษณะที่สำคัญของอคติของคอลเลคเตอร์-ความคิดเห็นคือกำจัดการพึ่งพา βDC และ VBE โดยพื้นฐานแล้ว แม้ว่าจะตรงตามเงื่อนไขที่ระบุไว้ ดังที่คุณได้เรียนรู้ βDC จะแปรผันโดยตรงกับอุณหภูมิ และ VBE จะแปรผกผันกับอุณหภูมิ เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้นในวงจรตอบรับของตัวสะสม βDC จะเพิ่มขึ้นและ VBE จะลดลง การเพิ่มขึ้นของ βDC ทำหน้าที่เพิ่ม IC การลดลงของ VBE จะทำหน้าที่เพิ่ม IB ซึ่งจะส่งผลให้ IC เพิ่มขึ้นเช่นกัน เมื่อ IC พยายามเพิ่มขึ้น แรงดันตกคร่อม RC ก็จะพยายามเพิ่มขึ้นเช่นกัน สิ่งนี้มีแนวโน้มที่จะลดแรงดันสะสมและดังนั้นแรงดันไฟฟ้าทั่วทั้ง RB จึงลด IB และชดเชยความพยายามในการเพิ่ม IC และความพยายามลดลงใน VC ผลที่ได้คือวงจรตัวรวบรวมความคิดเห็นรักษาจุด Q ที่ค่อนข้างเสถียร การกระทำย้อนกลับเกิดขึ้นเมื่ออุณหภูมิลดลง แบ่งปันกับเพื่อนของคุณ Facebook Twitter LinkedIn Pinterest Email WhatsApp

ฝากข้อความ 

รายการข้อความ